[发明专利]TFT-LCD像素电极层结构、制备方法及其掩膜板有效
| 申请号： | 201110095453.3 | 申请日： | 2011-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN102169260A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 惠官宝 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1343 | 分类号： | G02F1/1343;G02F1/1333;G03F1/14;G03F7/00;H01L27/02;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种TFT-LCD像素电极层结构、制备方法及其掩膜板，涉及液晶显示器领域，能够减少由于显影液浓度差异造成的斜纹状mura。TFT-LCD像素电极层结构包括：对应于液晶面板的显示区域的像素电极图形，以及对应于液晶面板的非显示区域的周边区域图形，还包括，周边填充图形，所述周边填充图形分布在对应于非显示区域中未设置周边区域图形的区域。本发明应用于液晶显示器的制备。 | ||
| 搜索关键词： | tft lcd 像素 电极 结构 制备 方法 及其 掩膜板 | ||
【主权项】：
一种TFT‑LCD像素电极层结构，包括：对应于液晶面板的显示区域的像素电极图形，以及对应于液晶面板的非显示区域的周边区域图形，其特征在于，还包括，周边填充图形，所述周边填充图形分布在对应于非显示区域中未设置周边区域图形的区域，所述像素电极层用来形成多维空间复合电场。
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