[发明专利]TFT-LCD像素电极层结构、制备方法及其掩膜板

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示器领域，尤其涉及一种TFT-LCD像素电极层结构、制备方法及其掩膜板。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。但是，液晶显示器却存在着视角较小的缺陷，为此各大厂商各自开发了自己的广视角技术。在众多的广视角技术中，高级超维场开关技术(Advanced-Super Dimensional Switching；简称：AD-SDS)通过同一平面内像素电极边缘所产生的平行电场以及像素电极层与对电极层间产生的纵向电场形成多维空间复合电场，使液晶盒内像素电极间、电极正上方以及液晶盒上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换，从而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-LCD画面品质，具有高透过率、宽视角、高开口率、低色差、低响应时间、无挤压水波纹(push Mura)波纹等优点。

一般情况下，AD-SDS型TFT-LCD液晶面板结构包括玻璃基板，形成在玻璃基板上的栅电极、栅线和公共电极，公共电极由公共电极线和透明电极组成；栅绝缘层形成在栅电极、栅线和公共电极上并覆盖整个玻璃基板；有源层形成在栅绝缘层上并位于栅电极上方；源漏电极层形成在有源层之上，并形成垂直于栅线的数据线；钝化层形成在源漏电极之上，并覆盖整个玻璃基板，钝化层上形成有过孔；像素电极通过钝化层的过孔与源漏电极相导通。

现有技术在制备AD-SDS型TFT-LCD液晶面板时，像素电极层掩模板分为显示区域图形和周边区域图形两部分。一般情况下，如图1所示，显示区域图形1由像素电极图形11的阵列所构成；周边区域图形包含：驱动电路图形21、电性能测试图形22、遮光板对位标记23、层间对位标记24，以及基板和掩膜板对位标记25等面积较小的图形。

在制备像素电极层的显影工艺中，由于周边电路图形需保留的光刻胶面积较小，所以大部分光刻胶需与显影液发生反应而被消耗，而显示区域保留的光刻胶面积较多，消耗的显影液较少，所以面板周边与面板中心显影液浓度出现差异，导致整个面板上的显影液浓度分布不均匀。

在AD-SDS型TFT-LCD阵列基板的像素电极层制造过程中，由于显影线宽(Develop Inspection Critical Dimension，简称DI CD)一般较小(4.0um左右)，所以DI CD值受显影液影浓度影响变化显著。

因此，在制造AD-SDS型TFT-LCD阵列基板时，在制备像素电极层时，如图2所示，在显示区域，容易出现一种斜纹状斑痕3(mura)。这种斜纹状mura正是由于在整个面板上像素电极层材料的线宽均匀性不好造成的。斜纹状mura会造成面板在显示时出现斜纹状的亮线，导致面板显示质量下降，甚至显示不正常，从而降低产品良率。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种TFT-LCD像素电极层结构、制备方法及其掩膜板，能够减少由于显影液浓度差异造成的斜纹状mura。

为解决上述技术问题，本发明TFT-LCD像素电极层结构、制备方法及其掩膜板采用如下技术方案：

一种TFT-LCD像素电极层结构，包括：对应于液晶面板的显示区域的像素电极图形，以及对应于液晶面板的非显示区域的周边区域图形，还包括，周边填充图形，所述周边填充图形分布在对应于非显示区域中未设置周边区域图形的区域，所述像素电极层用来形成多维空间复合电场。

所述周边区域图形包括：驱动电路图形、电性能测试图形、遮光板对位标记、层间对位标记，以及基板和掩膜板对位标记。

所述周边填充图形与所述周边区域图形所包含的图形互不连接，互相独立。

所述周边填充图形与所述像素电极图形的边界之间设置有空白间隔，所述空白间隔的距离为2mm～5mm。

所述周边填充图形与所述像素电极图形的图案纹理相同。

所述周边填充图形的图案纹理为栅条纹状、波浪条纹状或网格状。

一种TFT-LCD像素电极层掩膜板，包括：对应于液晶面板的显示区域，用于形成像素电极图形的像素电极图案，以及对应于液晶面板的非显示区域，用于形成周边区域图形的周边区域图案，还包括，用于形成周边填充图形的周边填充图案，所述周边填充图案分布在对应于非显示区域中未设置周边区域图案的区域，所述像素电极层用来形成多维空间复合电场。

一种TFT-LCD像素电极层结构的制备方法，包括：