[发明专利]包含处理流体泄漏回收结构的半导体处理装置

摘要

本发明揭露了一种包含处理流体泄漏回收结构的半导体处理装置，所述半导体处理装置包括一用于紧密容纳和处理半导体晶圆的微腔室，所述微腔室包括形成上工作表面和/或上周边部分的上腔室部和形成下工作表面和/或下周边部分的下腔室部，所述上腔室部和/或所述下腔室部可在一用于装载和/或移除该半导体晶圆的打开位置和一用于紧密容纳该半导体晶圆的关闭位置之间移动，其中所述下腔室部包括形成所述下工作表面和/或下周边部分的下腔室板和容纳所述下腔室板的下盒装置，所述下盒装置包含一用于容纳所述下腔室板的无盖空腔，所述无盖空腔的下表面包含有导流凹槽，所述导流凹槽的出口位于所述下盒装置的下部或者侧面开口处。

主权项

一种包含处理流体泄漏回收结构的半导体处理装置，利用处理流体对半导体晶圆及相似工件进行处理，其特征在于，其包括：包括一用于紧密容纳和处理半导体晶圆的微腔室，所述微腔室包括形成上工作表面和/或上周边部分的上腔室部和形成下工作表面和/或下周边部分的下腔室部，所述上腔室部和/或所述下腔室部可在一用于装载和/或移除该半导体晶圆的打开位置和一用于紧密容纳该半导体晶圆的关闭位置之间移动，当上腔室部或者所述下腔室部处于关闭位置时，半导体晶圆安装于所述上工作表面和下工作表面之间，且与所述微腔室的内壁形成有供处理流体流动的空隙，所述上腔室部和/或所述下腔室部中包括至少一个供处理流体进入所述微腔室的入口和至少一个供处理流体排出所述微腔室的出口，其中所述下腔室部包括形成所述下工作表面和/或下周边部分的下腔室板和容纳所述下腔室板的下盒装置，所述下盒装置包含一用于容纳所述下腔室板的无盖空腔，所述无盖空腔的表面包含有可导引流体最终流向同一方向的导流凹槽。