[发明专利]包含处理流体泄漏回收结构的半导体处理装置

权利要求书

1.一种包含处理流体泄漏回收结构的半导体处理装置，利用处理流体对半导体晶圆及相似工件进行处理，其特征在于，其包括：

包括一用于紧密容纳和处理半导体晶圆的微腔室，所述微腔室包括形成上工作表面和/或上周边部分的上腔室部和形成下工作表面和/或下周边部分的下腔室部，所述上腔室部和/或所述下腔室部可在一用于装载和/或移除该半导体晶圆的打开位置和一用于紧密容纳该半导体晶圆的关闭位置之间移动，

当上腔室部或者所述下腔室部处于关闭位置时，半导体晶圆安装于所述上工作表面和下工作表面之间，且与所述微腔室的内壁形成有供处理流体流动的空隙，所述上腔室部和/或所述下腔室部中包括至少一个供处理流体进入所述微腔室的入口和至少一个供处理流体排出所述微腔室的出口，

其中所述下腔室部包括形成所述下工作表面和/或下周边部分的下腔室板和容纳所述下腔室板的下盒装置，所述下盒装置包含一用于容纳所述下腔室板的无盖空腔，所述无盖空腔的表面包含有可导引流体最终流向同一方向的导流凹槽。

2.根据根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述导流凹槽包括排布在所述无盖空腔的下表面的若干个倾斜角度和倾斜方式相同、互相并列的斜坡面。

3.根据根据权利要求2所述的半导体处理装置，其特征在于，所述斜坡面的坡底位于所述侧面开口处，且所述斜坡面的坡底连通于所述导流凹槽的出口。

4.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述下腔室板包含一吻合与所述无盖空腔形状的下部和位于所述下部之上的上部，所述上部的上表面形成所述微腔室的下工作表面和/或下周边部分。

5.根据权利要求4所述的半导体处理装置，其特征在于，所述无盖空腔的侧面形成有开口，且所述无盖空腔对应于所述下腔室板的下部的矩形边形成有凹槽，所述下腔室板从所述侧面开口沿所述凹槽滑动进入或者移出所述无盖空腔。

6.根据权利要求5所述的半导体处理装置，其特征在于，所述半导体处理装置还包括一插件，所述插件的形状符合所述侧面开口的形状，当所述下腔室板装载进入所述无盖空腔后，通过将所述插件插入所述侧面开口固定所述下腔室板在所述无盖空腔内。

7.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，

当可以移动的腔室部为上腔室部时，所述上腔室部上方还包括一驱动装置，当所述驱动装置产生向下的驱动力时，驱动所述上腔室部从打开位置向关闭位置移动；当所述流体驱动装置产生向上的驱动力时，驱动所述上腔室部从关闭位置向打开位置移动；

当可以移动的腔室部为下腔室部时，所述下腔室部下方还包括一驱动装置，当所述驱动装置产生向上的驱动力时，驱动所述下腔室部从打开位置向关闭位置移动；当所述驱动装置产生向下的驱动力时，驱动所述下腔室部从关闭位置向打开位置移动。

8.根据权利要求7所述的半导体处理装置，其特征在于，所述流体驱动装置包括一驱动器和容纳所述驱动器的可伸缩空腔，所述驱动器为气动驱动器、电动驱动器、机械驱动器或者液压驱动器中的一种。

9.根据权利要求7或8所述的半导体处理装置，其特征在于，所述上腔室部和所述下腔室部的边缘包含对应的柱位孔，其中一腔室部由贯穿所述柱位孔并垂直于所述工作表面的立柱所固定；另一腔室部由贯穿所述柱位孔并垂直于所述工作表面的立柱导引而相对于固定的腔室部移动。