[发明专利]基于N型硅片的背接触式HIT太阳能电池制备方法

摘要

本发明公开了一种在N型硅衬底上制备背接触式HIT太阳能电池的方法。本发明的制备工艺将常规晶硅电池生产工艺和薄膜太阳能电池生产工艺结合，方法简单，能够迅速产业化；采用该方法制备的太阳能电池不会出现晶硅太阳能电池的光致衰减现象；太阳光在电池内传播光程更长，电池较常规晶硅太阳电池厚度大大减薄；电极全部印刷在电池背面，即避免了常规太阳能电池正面电极遮光的问题，又降低了对电极印刷精度和高宽比的要求；在组件生产中使用本电池可减少焊接工序，节约焊带，降低组件生产成本。

主权项

一种基于N型硅片的背接触式HIT太阳能电池制备方法，其特征在于，步骤包括：（1）在制绒后的N型硅片正表面沉积一层高浓度N+型非晶硅薄膜；（2）在N型硅片背表面依次沉积一层本征非晶硅薄层和一层P型非晶硅薄层；（3）在N型硅片背表面采用丝网印刷烧结方式沉积SiO2作为掩膜；（4）在N型硅片正表面沉积氮化硅减反射层；（5）使用强碱溶液腐蚀背表面掩膜未遮档区域直至露出N型硅基体；使用HF酸腐蚀掉SiO2掩膜以露出P型非晶硅；（6）在硅片背表面沉积一层SiO2薄层作为背面钝化层和反射面；（7）在背表面的N型区域和P型区域分别丝网印刷导电浆料经烧结作为N区电极和P 区电极。