[发明专利]基于N型硅片的背接触式HIT太阳能电池制备方法

权利要求书

1.一种基于N型硅片的背接触式HIT太阳能电池制备方法，其特征在于，步骤包括：

（1）在制绒后的N型硅片正表面沉积一层高浓度N+型非晶硅薄膜；

（2）在N型硅片背表面依次沉积一层本征非晶硅薄层和一层P型非晶硅薄层；

（3）在N型硅片背表面采用丝网印刷烧结方式沉积SiO₂作为掩膜；

（4）在N型硅片正表面沉积氮化硅减反射层；

（5）使用强碱溶液腐蚀背表面掩膜未遮档区域直至露出N型硅基体；使用HF酸腐蚀掉SiO₂掩膜以露出P型非晶硅；

（6）在硅片背表面沉积一层SiO₂薄层作为背面钝化层和反射面；

（7）在背表面的N型区域和P型区域分别丝网印刷导电浆料经烧结作为N区电极和P 区电极。

2.根据权利要求1所述的基于N型硅片的背接触式HIT太阳能电池制备方法，其特征在于：步骤（1）和（2）中在N型硅片正表面沉积N+型非晶硅薄层以及在背表面依次沉积一层本征非晶硅薄层和一层P型非晶硅薄层，膜厚度范围均为1~50000nm。

3.根据权利要求1所述的基于N型硅片的背接触式HIT太阳能电池制备方法，其特征在于：步骤（4）在N型硅片正表面沉积氮化硅减反射膜采用PECVD技术，减反射膜厚度为75~85nm，折射率为2.0~2.2。

4.根据权利要求1所述的基于N型硅片的背接触式HIT太阳能电池制备方法，其特征在于：步骤（5）使用强碱溶液腐蚀掩膜未遮挡区域非晶硅薄膜至露出N型晶硅基体表面，所用强碱腐蚀剂可以为KOH、NaOH或四甲基氢氧化铵,碱溶液浓度为0.1%~40%；使用HF溶液去除SiO₂掩膜，HF酸浓度为1%~40%。

5.根据权利要求1所述的基于N型硅片的背接触式HIT太阳能电池制备方法，其特征在于：步骤（6）在硅片背面沉积一层SiO₂薄层作为背面钝化层和反射面，SiO₂薄层厚度在1~50000nm。

6.根据权利要求1所述的基于N型硅片的背接触式HIT太阳能电池制备方法，其特征在于：步骤（7）在背表面的N型区域和P型区域分别丝网印刷导电浆料经烧结作为N区电极和P 区电极，N型区域上采用的电极印刷材料为银浆；P型区域上采用的电极印刷材料为银浆、银铝浆，或者是类似常规太阳能电池背面银铝相接的结构的一种。