[发明专利]多层堆叠电阻转换存储器结构无效

专利信息
申请号: 201110091476.7 申请日: 2011-04-12
公开(公告)号: CN102185104A 公开(公告)日: 2011-09-14
发明(设计)人: 张挺;陈婉;宋志棠;刘波;封松林;陈邦明 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00;H01L27/24
代理公司: 上海光华专利事务所 31219 代理人: 李仪萍
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种多层堆叠电阻转换存储器结构,具有以下的特征:电阻转换存储器结构包括至少两层电阻转换存储层;每层的电阻转换存储层中含有选通管和对应的电阻转换存储单元,单个选通管选通至少两个电阻转换存储单元;选通管为双极型晶体管、肖特基二极管、PN二极管或者为氧化物二极管;多层堆叠电阻转换存储器结构还包含外围电路,各层电阻转换存储层共享外围电路。该器件结构能大幅提高存储器的密度,而且通过共享外围电路节省了外围电路的面积,并且多个存储单元共用选通管就有效地增大了选通二极管的面积,也就增大了选通管的驱动电流,给电阻转换存储器的编程操作留出了更多的空间。
搜索关键词: 多层 堆叠 电阻 转换 存储器 结构
【主权项】:
一种多层堆叠的电阻转换存储器结构,其特征在于:该种电阻转换存储器结构包括至少两层电阻转换存储层,每层电阻转换存储层中含有选通管和与其对应的电阻转换存储单元,每个选通管至少对应选通两个电阻转换存储单元,此多层堆叠的电阻转换存储器结构还包括与各电阻转换存储层连接的外围电路。
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