[发明专利]多层堆叠电阻转换存储器结构无效
| 申请号： | 201110091476.7 | 申请日： | 2011-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN102185104A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 张挺;陈婉;宋志棠;刘波;封松林;陈邦明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多层 堆叠 电阻 转换 存储器 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种多层堆叠的电阻转换存储器结构，其特征在于：该种电阻转换存储器结构包括至少两层电阻转换存储层，每层电阻转换存储层中含有选通管和与其对应的电阻转换存储单元，每个选通管至少对应选通两个电阻转换存储单元，此多层堆叠的电阻转换存储器结构还包括与各电阻转换存储层连接的外围电路。
2.如权利要求1所述的多层堆叠电阻转换存储器结构，其特征在于：所述选通管为肖特基二极管、或为PN二极管、或为氧化物二极管、或为双极型晶体管。
3.如权利要求1所述的多层堆叠电阻转换存储器，其特征在于：存储单元的电阻在电信号的作用下实现高、低电阻之间的可逆变化。
4.如权利要求1或3所述的多层堆叠电阻转换存储器，其特征在于：该种电阻转换存储器的类型是相变存储器，或是电阻随机存储器，或是磁阻存储器。
5.如权利要求1或3所述的多层堆叠电阻转换存储器，其特征在于：电阻转换存储单元的数据存储是两级数据存储或者多级数据存储。
6.如权利要求1所述的多层堆叠电阻转换存储器结构，其特征在于：各电阻转换存储层共用外围电路。
7.如权利要求1所述的多层堆叠电阻转换存储器结构，其特征在于：所述外围电路中含有场效应晶体管。
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