[发明专利]一种具有忆阻器特性的半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201110090926.0 | 申请日： | 2011-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN102738389A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 刘明;李颖弢;龙世兵;吕杭炳;刘琦;张森;王艳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有忆阻器特性的半导体器件及其制备方法。所述半导体器件包括上电极和下电极，以及位于所述上电极和下电极之间的功能层薄膜，所述功能层薄膜为钛铝氧化物TiAlOx。本发明具有忆阻器特性的半导体器件具有与忆阻器相似的特性，结构简单，可以作为第四种无源电路元件的候选，同时采用了简单的制备工艺，降低了忆阻器的制作成本，因此具有产业化价值，有利于本发明的广泛推广和应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 忆阻器 特性 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有忆阻器特性的半导体器件，其特征在于，该半导体器件包括上电极和下电极，以及位于所述上电极和下电极之间的功能层薄膜，所述功能层薄膜为钛铝氧化物TiAlOx，其中，0.5＜x＜3。
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