[发明专利]一种多层铜互连制造方法有效
| 申请号： | 201110089375.6 | 申请日： | 2011-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN102184888A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 丁建宁;袁宁一 | 申请（专利权）人： | 常州大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 213164 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种铜互连制造方法，属于微纳制造领域。本发明利用溅射或原子层沉积技术制备氮化铜薄膜，利用飞秒激光直写技术，在需要金属互连区域，利用激光分解形成铜单质，一步化实现铜互连，由于金属铜是在氮化铜平面上激光热分解形成的，所以无需额外的化学抛光来实现表面平坦化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 互连 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种铜互连制造方法，其特征在于：利用溅射或原子层沉积技术制备氮化铜薄膜，将飞秒激光照射在氮化铜薄膜上需要铜互连的区域，利用激光的热效应分解氮化铜形成铜单质，一步化实现铜互连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
