[发明专利]具有电极框架的垂直发光二极管晶粒及其制造方法无效
| 申请号： | 201110089279.1 | 申请日： | 2011-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN102347413A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 朱振甫;樊峰旭;郑好钧;段忠 | 申请（专利权）人： | 旭明光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有电极框架的垂直发光二极管晶粒及其制造方法。垂直发光二极管晶粒包含：一金属基部；一镜面体，位于金属基部上；一p-型半导体层，位于反射器层上；一多重量子阱层，位于p-型半导体层上并用以发光；及一n-型半导体层，位于多重量子阱层上。垂直发光二极管晶粒还包含：一电极与一电极框架，位于n-型半导体层上；及一有机或无机材料，被容纳于电极框架内。电极及电极框架可用以提供高电流容量，并将电流从n-型半导体层的外周边散布到n-型半导体层的中心。还可包含一钝化层，钝化层形成在金属基部上，且包围电极框架、镜面体的边缘、p-型半导体层的边缘、多重量子阱层的边缘及n-型半导体层的边缘并使其电性绝缘。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电极 框架 垂直 发光二极管 晶粒 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直发光二极管晶粒，其特征在于，所述垂直发光二极管晶粒包含：一金属基部；一镜面体，位于所述金属基部上；一p‑型半导体层，位于所述镜面体上；一多重量子阱层，位于所述p‑型半导体层上并用以发光；一n‑型半导体层，位于所述多重量子阱层上，并具有一周边轮廓与一中心；一电极，位于所述n‑型半导体层上；及一电极框架，位于所述n‑型半导体层上并与所述电极电性接触，所述电极框架包含在所述n‑型半导体层的所述周边轮廓内，并用以将电流从所述n‑型半导体层的外周边散布到所述n‑型半导体层的中心。
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