[发明专利]具有电极框架的垂直发光二极管晶粒及其制造方法

权利要求书

1.一种垂直发光二极管晶粒，其特征在于，所述垂直发光二极管晶粒包含：

一金属基部；

一镜面体，位于所述金属基部上；

一p-型半导体层，位于所述镜面体上；

一多重量子阱层，位于所述p-型半导体层上并用以发光；

一n-型半导体层，位于所述多重量子阱层上，并具有一周边轮廓与一中心；

一电极，位于所述n-型半导体层上；及

一电极框架，位于所述n-型半导体层上并与所述电极电性接触，所述电极框架包含在所述n-型半导体层的所述周边轮廓内，并用以将电流从所述n-型半导体层的外周边散布到所述n-型半导体层的中心。

2.如权利要求1所述的垂直发光二极管晶粒，其特征在于，所述电极框架具有四边形相框形状，而所述电极包含一衬垫，所述衬垫与所述电极框架的一边接触。

3.如权利要求1所述的垂直发光二极管晶粒，其特征在于，所述垂直发光二极管晶粒更包含一钝化层，所述钝化层位于所述金属基部上，且包围所述电极框架、所述镜面体的边缘、所述p-型半导体层的边缘、所述多重量子阱层的边缘以及所述n-型半导体层的边缘并使其电性绝缘。

4.如权利要求3所述的垂直发光二极管晶粒，其特征在于，所述钝化层设置成一堤坝且更包含一有机或无机材料，所述有机或无机材料被容纳于所述堤坝内且具有所选择的光学特性。

5.如权利要求1所述的垂直发光二极管晶粒，其特征在于，所述垂直发光二极管晶粒更包含一有机或无机材料，所述材料被容纳于所述电极框架内且具有所选择的光学特性。

6.如权利要求1所述的垂直发光二极管晶粒，其特征在于，所述p-型半导体层以及所述n-型半导体层包含一选自于由GaN、AlGaN、InGaN以及AlInGaN所组成的群组的材料。

7.如权利要求1所述的垂直发光二极管晶粒，其特征在于，所述电极包含一接合衬垫，所述接合衬垫包含在所述电极框架内并且与所述电极框架的一边接触。

8.如权利要求1所述的垂直发光二极管晶粒，其特征在于，所述电极框架具有一约略呈矩形的形状，其具有一外周边宽度W、一外周边长度L；而所述镜面体具有小于或等于W的一宽度W_m、以及小于或等于L的一长度L_m。

9.如权利要求1所述的垂直发光二极管晶粒，其特征在于，所述n-型半导体层具有一第一面积，所述第一面积大于所述镜面体的一第二面积。

10.一种垂直发光二极管晶粒，其特征在于，所述垂直发光二极管晶粒包含：

一金属基部；

一镜面体，位于所述金属基部上，并具有一宽度W_m以及一长度L_m；

一p-型半导体层，位于所述镜面体上；

一多重量子阱层，位于所述p-型半导体层上并用以发光；

一n-型半导体层，位于所述多重量子阱层上，并具有一周边轮廓与一中心；

一电极，位于所述n-型半导体层上；及

一电极框架，位于所述n-型半导体层上且与所述电极电性接触，并用以将电流从所述n-型半导体层的外周边散布到所述n-型半导体层的中心，所述电极框架具有与所述n-型半导体层的所述周边轮廓隔开一距离d的四边形相框形状，所述电极框架具有大于或等于W_m的一周边宽度W、大于或等于L_m的一周边长度L、一壁宽E以及一厚度d_E。

11.如权利要求10所述的垂直发光二极管晶粒，其特征在于，选择所述长度L，以满足一所需的发光面积A，其中L＝A/W。

12.如权利要求10所述的垂直发光二极管晶粒，其特征在于，所述厚度d_E是从1μm到100μm。

13.如权利要求10所述的垂直发光二极管晶粒，其特征在于，所述p-型半导体层、所述多重量子阱层以及所述n-型半导体层形成一约略呈锥形形状的外延堆叠体，而所述n-型半导体层形成一基部以及所述p-型半导体层形成一平坦顶部。