[发明专利]气体传输装置及具有其的基片处理设备无效
| 申请号: | 201110088632.4 | 申请日: | 2011-04-08 |
| 公开(公告)号: | CN102732859A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
| 发明(设计)人: | 张秀川 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/44 |
| 代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 张大威 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 本发明提出一种气体传输装置,包括:气体传输通路,气体传输通路中设有用于通入各反应气体的反应气体管道组和用于通入不与所述各反应气体相互反应的隔离气体的隔离气体管道;和至少一个气体喷口,所述气体喷口设置在所述气体传输通路上,且每个所述气体喷口包括沿所述气体传输通路的横截面方向排气的多层气孔,其中,所述多层气孔中的顶层气孔与所述隔离气体管道连通,所述多层气孔中所述顶层气孔以下的各层气孔匹配地与所述反应气体管道组中的各管道连通。本发明还提出一种基片处理设备。根据本发明的具有该气体传输装置的基片处理设备防止在顶盖和托盘底部发生沉积,并有效防止顶盖和托盘底部薄膜脱落导致颗粒污染。 | ||
| 搜索关键词: | 气体 传输 装置 具有 处理 设备 | ||
【主权项】:
一种气体传输装置,其特征在于,包括:气体传输通路,所述气体传输通路中设有用于通入各反应气体的反应气体管道组和用于通入隔离气体的隔离气体管道;和至少一个气体喷口,所述气体喷口设置在所述气体传输通路上,且每个所述气体喷口包括沿所述气体传输通路的横截面方向排气的多层气孔,其中,所述多层气孔中的顶层气孔与所述隔离气体管道连通,所述多层气孔中所述顶层气孔以下的各层气孔匹配地与所述反应气体管道组中的各管道连通。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





