[发明专利]气体传输装置及具有其的基片处理设备无效
| 申请号: | 201110088632.4 | 申请日: | 2011-04-08 |
| 公开(公告)号: | CN102732859A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
| 发明(设计)人: | 张秀川 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/44 |
| 代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 张大威 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 气体 传输 装置 具有 处理 设备 | ||
1.一种气体传输装置,其特征在于,包括:
气体传输通路,所述气体传输通路中设有用于通入各反应气体的反应气体管道组和用于通入隔离气体的隔离气体管道;和
至少一个气体喷口,所述气体喷口设置在所述气体传输通路上,且每个所述气体喷口包括沿所述气体传输通路的横截面方向排气的多层气孔,其中,所述多层气孔中的顶层气孔与所述隔离气体管道连通,所述多层气孔中所述顶层气孔以下的各层气孔匹配地与所述反应气体管道组中的各管道连通。
2.如权利要求1所述的气体传输装置,其特征在于,包括多个气体喷口,所述多个气体喷口沿所述气体传输通路的轴向间隔地设置在所述气体传输通路上。
3.如权利要求1所述的气体传输装置,其特征在于,所述多层气孔相互平行。
4.如权利要求1所述的气体传输装置,其特征在于,所述反应气体管道组包括至少一条用于通入V族元素气体的V族元素气体管道、和至少一条用于通入III族元素气体的III族元素气体管道。
5.如权利要求4所述的气体传输装置,其特征在于,所述反应气体管道组包括两条所述V族元素气体管道和一条所述III族元素气体管道。
6.如权利要求5所述的气体传输装置,其特征在于,所述多层气孔为4层气孔,且所述顶层气孔以下的3层气孔从上至下分别连通一条所述V族元素气体管道、所述III族元素气体管道和另一条所述V族元素气体管道。
7.如权利要求1所述的气体传输装置,其特征在于,所述隔离气体为H2或N2。
8.一种基片处理设备,其特征在于,包括:
反应腔室;
一个托盘,所述托盘位于所述反应腔室之内;
气体传输装置,所述气体传输装置如权利要求1-7任一项所述的气体传输装置,其中,所述气体传输装置的气体传输通路穿过所述多个托盘的中心孔,且在所述托盘之上设有至少一个所述气体喷口。
9.一种基片处理设备,其特征在于,包括:
反应腔室;
多个托盘,所述多个托盘位于所述反应腔室之内,且所述多个托盘沿所述反应腔室的轴线等间隔排列;和
气体传输装置,所述气体传输装置如权利要求1-7任一项所述的气体传输装置,其中,所述气体传输装置的气体传输通路穿过所述多个托盘的中心孔,且在每个所述托盘之上设有至少一个所述气体喷口。
10.根据权利要求9所述的基片处理设备,其特征在于,所述多个托盘沿所述反应腔室的轴线呈竖直方向等间隔排列。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





