[发明专利]发光二极管构造及其制造方法有效
申请号: | 201110087917.6 | 申请日: | 2011-04-08 |
公开(公告)号: | CN102185082A | 公开(公告)日: | 2011-09-14 |
发明(设计)人: | 张光耀;胡哲彰;张静 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/54;H01L33/58;H01L33/00 |
代理公司: | 广东国晖律师事务所 44266 | 代理人: | 陈琳 |
地址: | 518106 广东省深圳市光明新区公*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开一种发光二极管构造及其制造方法,所述发光二极管构造包含一壳体、一发光二极管芯片及一透光封装部。所述壳体具有一凹部及至少一凸台,所述发光二极管芯片设于所述凹部内。所述透光封装部通过一点胶工具向所述凹部注入封装材料以形成一透光封装部,所述透光封装部的边缘与所述凹部的边缘重合,并包覆所述凹部内的发光二极管芯片,且具有高度小于所述凸台的球形表面。本发明发光二极管构造的发光二极管芯片通过所述透光封装部的球形表面,可以大视角将光线射出,并提高光线的出光效率。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 构造 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种发光二极管构造,其特征在于:所述发光二极管构造包含:一壳体,所述壳体具有一凹部及凸台,所述凸台设于所述壳体的周缘;一发光二极管芯片,设于所述壳体的凹部内;及一透光封装部,封装所述壳体的凹部,所述透光封装部的边缘与所述凹部的边缘重合,并包覆所述凹部内的发光二极管芯片,且具有高度小于所述凸台的球形表面。
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