[发明专利]发光二极管构造及其制造方法有效
| 申请号： | 201110087917.6 | 申请日： | 2011-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN102185082A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 张光耀;胡哲彰;张静 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/54;H01L33/58;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广东国晖律师事务所 44266 | 代理人： | 陈琳 |
| 地址： | 518106 广东省深圳市光明新区公*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 构造 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管构造，其特征在于：所述发光二极管构造包含：
一壳体，所述壳体具有一凹部及凸台，所述凸台设于所述壳体的周缘；
一发光二极管芯片，设于所述壳体的凹部内；及
一透光封装部，封装所述壳体的凹部，所述透光封装部的边缘与所述凹部的边缘重合，并包覆所述凹部内的发光二极管芯片，且具有高度小于所述凸台的球形表面。
2.如权利要求1所述的发光二极管构造，其特征在于：所述发光二极管芯片设于所述壳体凹部内的中心位置，并且所述透光封装部的球形表面最高点位在所述发光二极管芯片中心的正上方。
3.如权利要求2所述的发光二极管构造，其特征在于：所述发光二极管芯片位于所述透光封装部的球形表面的球心位置或接近球心的位置。
4.如权利要求1-3任一项所述的发光二极管构造，其特征在于：所述凸台位于所述凹部的相对两侧或位于所述凹部的四周且包围所述凹部。
5.如权利要求1-3所述的发光二极管构造，其特征在于：所述透光封装部的材料是硅胶树脂或掺有磷光剂的硅胶树脂。
6.一种发光二极管构造的制造方法，其特征在于：所述发光二极管构造的制造方法包含以下步骤：
准备一壳体，所述壳体具有一凹部及凸台，所述凹部内设有一发光二极管芯片，所述凸台设于所述壳体的周缘；
准备一点胶工具，装有封装材料且位于所述凹部的上方；及
所述点胶工具向所述凹部注入封装材料以形成一透光封装部，所述透光封装部的边缘与所述凹部的边缘重合，并包覆所述凹部内的发光二极管芯片，且具有高度小于所述凸台的球形表面。
7.如权利要求6所述的发光二极管构造的制造方法，其特征在于：所述发光二极管芯片设于所述壳体凹部内的中心位置，所述点胶工具位于所述发光二极管芯片中心的上方。
8.如权利要求6所述的发光二极管构造的制造方法，其特征在于：所述点胶工具注入的封装材料的体积大于所述壳体凹部的容积。
9.如权利要求6-8任一项所述的发光二极管构造的制造方法，其特征在于：将所述凸台设置于所述凹部的相对两侧或设置于所述凹部的四周且包围所述凹部。
如权利要求6-8任一项所述的发光二极管构造的制造方法，其特征在于：所述封装材料是硅胶树脂或掺有磷光剂的硅胶树脂。
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