[发明专利]一种SONOS快闪存储器及其制备方法和操作方法有效
| 申请号： | 201110087509.0 | 申请日： | 2011-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN102738244A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 秦石强;田明;唐粕人;唐昱;蔡一茂;黄如 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L21/336;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种SONOS快闪存储器及其制备方法和操作方法。该快闪存储器包括衬底、源漏和沟道，沟道之上依次为隧穿氧化层、氮化硅陷阱层、阻挡氧化层和多晶硅控制栅；其特征在于，所述衬底为轻掺杂硅；源漏的掺杂类型不同，分别为P+区和N+区。该器件与现有标准CMOS工艺有着较好的兼容性，在具有一般SONOS快闪存储器保持特性较好的优势的同时，可以有效地提高编程效率、降低功耗、抑制穿通效应，且小尺寸特性理想。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sonos 闪存 及其 制备 方法 操作方法 | ||
【主权项】：
一种SONOS快闪存储器，包括衬底、源漏和沟道，沟道位于源漏之间，沟道之上依次为隧穿氧化层、氮化硅陷阱层、阻挡氧化层和多晶硅控制栅；其特征在于，所述衬底为轻掺杂硅；源漏的掺杂类型不同，源端为P+区，漏端为N+区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110087509.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
