[发明专利]一种SONOS快闪存储器及其制备方法和操作方法

权利要求书

1.一种SONOS快闪存储器，包括衬底、源漏和沟道，沟道位于源漏之间，沟道之上依次为隧穿氧化层、氮化硅陷阱层、阻挡氧化层和多晶硅控制栅；其特征在于，所述衬底为轻掺杂硅；源漏的掺杂类型不同，源端为P+区，漏端为N+区。

2.如权利要求1所述的快闪存储器，其特征在于，所述衬底为轻掺杂P型硅或轻掺杂N型硅。

3.一种SONOS快闪存储器的制备方法，包括以下步骤：

1)浅槽隔离轻掺杂硅衬底形成有源区；

2)在衬底上依次形成第一二氧化硅层、氮化硅层、第二二氧化硅层和多晶硅层；

3)对多晶硅层进行重掺杂和热退火激活杂质；

4)刻蚀步骤2)形成的多晶硅层、第二二氧化硅层、氮化硅层和第一二氧化硅层，形成栅堆栈结构；

5)在栅堆栈结构的两端分别进行P+注入和N+注入，形成源漏。

4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤1)所述轻掺杂硅衬底是P-型或N-型体硅衬底。

5.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤2)通过淀积或热生长的方式形成第一二氧化硅层。

6.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤2)在形成第一二氧化硅层之前，在硅衬底上先热生长一层牺牲氧化层，然后湿法腐蚀去掉该牺牲氧化层。

7.权利要求1所述SONOS快闪存储器的操作方法，包括：编程时，P+区接地，N+区施加正偏压，多晶硅控制栅施加正偏压，使部分电子穿过隧穿氧化层进入到氮化硅陷阱层中，并被捕获；擦除时，N+区、P+区施加正偏压，多晶硅控制栅施加负偏压，使氮化硅陷阱层中的电子进入衬底；读取时，在N+区施加正偏压，P+区接地，多晶硅控制栅施加正偏压，控制偏压大小，在不进行误编程的前提下从N+区读出电流。