[发明专利]垂直共振腔面射型激光及其制作方法有效
| 申请号： | 201110084714.1 | 申请日： | 2011-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN102738703A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 陈志诚;陈柏翰;吴承儒;潘金山 | 申请（专利权）人： | 光环科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/187 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;张燕华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种垂直共振腔面射型激光及其制作方法，垂直共振腔面射型激光，包含一基板以及一磊晶叠层。磊晶叠层形成于该基板上，且包含有一环状锌扩散区、一位于该锌扩散区下方的环状离子布植区、一位于离子布植区下方的环状氧化区，以及一位于该环状氧化区下方的主动区，其中，该锌扩散区具有一锌扩散通孔，该离子布植区具有一离子布植通孔，且该氧化区具有一氧化通孔，且该锌扩散通孔、该离子布植通孔与该氧化通孔相互连通。此外，本发明还提供一种上述垂直共振腔面射型激光的制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 共振 腔面射型 激光 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种垂直共振腔面射型激光，其特征在于，包含：一基板；以及一磊晶叠层，形成于该基板上，该磊晶叠层包含有一环状锌扩散区、一位于该锌扩散区下方的环状离子布植区、一位于离子布植区下方的环状氧化区，以及一位于该环状氧化区下方的主动区；其中，该锌扩散区具有一锌扩散通孔，该离子布植区具有一离子布植通孔，且该氧化区具有一氧化通孔，且该锌扩散通孔、该离子布植通孔与该氧化通孔为相互连通。
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