[发明专利]磷硅镉多晶料的合成方法无效
| 申请号： | 201110083363.2 | 申请日： | 2011-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN102168305A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 陶绪堂;张国栋;王善朋;施琼;阮华棚;蒋民华 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B28/02 | 分类号： | C30B28/02;C30B29/10 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 许德山 |
| 地址： | 250100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及磷硅镉多晶料的合成方法，按硅∶镉∶磷＝1∶1∶2～2.05摩尔比，将纯度为99.999％的磷、硅、镉三种单质原料装入合成坩埚中，将合成坩埚装入石英管中；抽真空后封结石英管；将石英管装入单温区合成炉中，使单温区炉升温、保温，合成完成后降至室温，打开合成坩埚即得到磷硅镉多晶料。本发明方法可以制备出高纯度的磷硅镉多晶料，用于高质量的磷硅镉单晶生长。 | ||
| 搜索关键词： | 磷硅镉 多晶 合成 方法 | ||
【主权项】：
磷硅镉多晶料的合成方法，步骤如下：1)将纯度为99.999％的磷、硅、镉三种单质原料按硅∶镉∶磷＝1∶1∶2～2.05摩尔比装入合成坩埚中；将合成坩埚装入石英管中，抽真空至2×10‑4Pa以下后封结石英管；2)将上述真空封结的石英管装入单温区炉的炉管中，将单温区炉从室温以30～50℃/h的升温速率升温至350‑750℃，然后在此温度保温20～25h；然后以15～20℃/h的升温速率升温至1140～1160℃，在此温度保温20～35h，然后以50～100℃/h降温速率降温至300℃，再自然降温至室温，打开合成坩埚即得到磷硅镉多晶料。
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