[发明专利]磷硅镉多晶料的合成方法

权利要求书

1.磷硅镉多晶料的合成方法，步骤如下：

1)将纯度为99.999％的磷、硅、镉三种单质原料按硅∶镉∶磷＝1∶1∶2～2.05摩尔比装入合成坩埚中；将合成坩埚装入石英管中，抽真空至2×10^-4Pa以下后封结石英管；

2)将上述真空封结的石英管装入单温区炉的炉管中，将单温区炉从室温以30～50℃/h的升温速率升温至350-750℃，然后在此温度保温20～25h；然后以15～20℃/h的升温速率升温至1140～1160℃，在此温度保温20～35h，然后以50～100℃/h降温速率降温至300℃，再自然降温至室温，打开合成坩埚即得到磷硅镉多晶料。

2.根据权利要求1所述的磷硅镉多晶料的合成方法，其特征在于所用的合成坩埚的材质为石墨或氮化硼。

3.根据权利要求1所述的磷硅镉多晶料的合成方法，其特征在于所述单温区炉是垂直管式电阻炉或水平管式电阻炉。

4.根据权利要求1所述的磷硅镉多晶料的合成方法，其特征在于步骤2)的升温、降温控制如下：将单温区炉从室温以40～45℃/h的升温速率升温至500～600℃，然后在此温度保温22h；然后以20℃/h的升温速率升温至1150℃，在此温度保温20h，然后以60℃/h降温速率降温至300℃，再自然降温至室温。

5.权利要求1所述方法所用的装置，包括合成坩埚、可密封石英管、炉体和温度控制单元，所述炉体包括外壳、加热元件、炉管，加热元件与炉管之间为保温材料，所述加热元件为电阻丝或硅碳棒；所述温度控制单元包括控温热电偶和温度控制仪表。