[发明专利]磷硅镉单晶的生长方法无效
| 申请号： | 201110083331.2 | 申请日： | 2011-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN102168299A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 陶绪堂;张国栋;王善朋;施琼;阮华棚;蒋民华 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/10 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 许德山 |
| 地址： | 250100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及磷硅镉的单晶生长方法。按硅∶镉∶磷＝1∶1∶2～2.05配料合成磷硅镉多晶料，采用坩埚下降炉，通过自发形核生长法或定向籽晶生长法进行生长。步骤包括：将磷硅镉多晶料直接装入坩埚中，或者加入籽晶后再装入坩埚中；将坩埚置入石英管中，抽真空后封结石英管；将石英管装入坩埚下降炉中；升温、坩埚下降、最后降温。本发明方法可制备出高纯度、高质量的磷硅镉单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 磷硅镉单晶 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种磷硅镉单晶的生长方法，以单质原料硅∶镉∶磷按1∶1∶2～2.05摩尔比合成磷硅镉多晶料，采用坩埚下降炉，通过自发形核生长法或籽晶生长法制得磷硅镉单晶；所述自发形核生长法是：将磷硅镉多晶料装入生长坩埚中，将生长坩埚装入石英管中，抽真空至2×10‑4Pa后封结石英管；将装有磷硅镉多晶料的石英管装入坩埚下降炉中，使坩埚位于高温区位置；使坩埚下降炉升温，高温区的温度保持在高于1140℃，优选高温区温度保持在1145～1165℃，梯度区的温度梯度在3～20℃/cm，低温区的温度保持在1050‑1100℃；在高温区保温10～20h后开始使坩埚下降，下降速率为0.1～4mm/h，将坩埚下降至低温区以后停止下降；使坩埚降温，以1～10℃/h降至950～1030℃，然后以10～20℃/h降至25～35℃；所述籽晶生长法是：将磷硅镉籽晶装入生长坩埚的籽晶袋中，将磷硅镉多晶料装入生长坩埚中，将生长坩埚装入石英管中，抽真空至2×10‑4Pa后封结石英管；将装有籽晶和磷硅镉多晶料的石英管装入坩埚下降炉中，使坩埚位于低温区；使坩埚下降炉升温，控制坩埚下降炉的温度，高温区的温度高于1140℃，优选高温区温度保持在1150～1160℃，梯度区的温度梯度在3～20℃/cm，低温区的温度保持在1050‑1100℃，缓慢上升坩埚，至使籽晶和多晶接触处的温度不低于磷硅镉的熔点1130℃、籽晶底端的温度不高于1120℃，使坩埚在此位置保温10～20h后开始下降，下降速率为0.1～4mm/h，将坩埚下降至低温区后停止下降；使坩埚降温，以1～10℃/h降至950～1030℃，然后以10～20℃/h降至25～35℃。
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