[发明专利]减少光刻胶掩膜倒塌或移位的方法有效
| 申请号： | 201110083035.2 | 申请日： | 2011-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN102737961A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 陈亚威;简志宏 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧霁晨;高为 |
| 地址： | 214028 中国江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种减少光刻胶掩膜倒塌或移位的方法，属于半导体制造的光刻技术领域。该方法中，光刻胶掩膜用于对硅衬底进行构图，其包括形成粘附氧化层的步骤；其中，所述光刻辅助氧化层形成于所述硅衬底表面、并用于增加所述光刻胶掩膜相对于所述硅衬底的粘附力。该方法能大大减少光刻胶掩膜的倒塌、移位等现象，方法简单且成本低，使用该方法的光刻方法成功率高、制备形成的集成电路的良率高。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 光刻 胶掩膜 倒塌 移位 方法 | ||
【主权项】：
一种减少光刻胶掩膜的倒塌或者移位的方法，光刻胶掩膜用于对硅衬底进行构图，其特征在于，该方法包括形成粘附氧化层的步骤；其中，所述光刻辅助氧化层形成于所述硅衬底表面、并用于增加所述光刻胶掩膜相对于所述硅衬底的粘附力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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