[发明专利]减少光刻胶掩膜倒塌或移位的方法有效
| 申请号： | 201110083035.2 | 申请日： | 2011-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN102737961A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 陈亚威;简志宏 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧霁晨;高为 |
| 地址： | 214028 中国江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 减少 光刻 胶掩膜 倒塌 移位 方法 | ||
1.一种减少光刻胶掩膜的倒塌或者移位的方法，光刻胶掩膜用于对硅衬底进行构图，其特征在于，该方法包括形成粘附氧化层的步骤；
其中，所述光刻辅助氧化层形成于所述硅衬底表面、并用于增加所述光刻胶掩膜相对于所述硅衬底的粘附力。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述粘附氧化层的厚度范围基本为5埃至15埃。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，粘附氧化层为无定形的氧化硅层。
4.如权利要求1或2或3所述的方法，其特征在于，所述粘附氧化层是通过含氧气体或者含氧等离子体对所述硅衬底表面氧化处理形成。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，采用灰化去除光刻胶的设备来氧化处理所述硅衬底表面。
6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述氧化处理之前，还包括步骤：
采用氢氟酸溶液去除所述硅衬底表面的原始氧化层。
7.如权利要求1或2或3所述的方法，其特征在于，所述粘附氧化层是通过减薄所述硅衬底之上的残留氧化层形成，所述残留氧化层在所述硅衬底被离子注入掺杂时用作保护层。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述残留氧化层的厚度范围基本为70埃至90埃。
9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，采用氢氟酸溶液减薄所述残留氧化层以控制所述残留氧化层的残余厚度。
10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述减薄步骤之前，还包括步骤：
采用磷酸溶液去除刻蚀终止层以暴露所述硅衬底表面的残留氧化层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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