[发明专利]Ag掺杂生长p型ZnMgO晶体薄膜的方法无效
| 申请号： | 201110082020.4 | 申请日： | 2011-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN102162131A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 朱丽萍;曹铃;叶志镇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B23/00;C23C14/08;C23C14/28 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开的Ag掺杂生长p型ZnMgO晶体薄膜的方法，采用的是脉冲激光沉积法。靶材是由纯ZnO、MgO和Ag2O粉末球磨混合后压制成型并烧结的陶瓷靶,其中Mg的摩尔百分含量为10%,Ag的摩尔百分含量为0.6~1%；然后在脉冲激光沉积装置的生长室中，以纯O2为生长气氛，控制O2压强30~60Pa，激光频率为3~5Hz,生长温度为300~600℃,在衬底上生长p型ZnMgO晶体薄膜。本发明方法可以实现实时掺杂,掺杂浓度通过调节生长温度和靶材中Ag的摩尔百分含量来控制。采用本发明方法制备的p型ZnMgO晶体薄膜具有良好的电学性能，重复性和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | ag 掺杂 生长 znmgo 晶体 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
Ag掺杂生长p型ZnMgO晶体薄膜的方法，其特征是采用脉冲激光沉积法，包括如下步骤：1）称量纯ZnO、纯MgO和纯Ag2O粉末, 其中Mg的摩尔百分含量为10%，Ag的摩尔百分含量为0.6~1%, 经球磨混合后压制成型，然后在1200℃烧结8小时以上，制得靶材； 2）将清洗后的衬底放入脉冲激光沉积装置的生长室中，靶材与衬底之间的距离为5.5 cm, 生长室背底真空度抽至10‑4 Pa，然后加热衬底，使衬底温度为300~600℃，以纯O2为生长气氛，控制O2压强30~60 Pa，激光频率为3~5 Hz, 进行生长，生长后的薄膜在100 Pa的氧气气氛保护下冷却至室温。
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