[发明专利]Ag掺杂生长p型ZnMgO晶体薄膜的方法无效
| 申请号： | 201110082020.4 | 申请日： | 2011-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN102162131A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 朱丽萍;曹铃;叶志镇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B23/00;C23C14/08;C23C14/28 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ag 掺杂 生长 znmgo 晶体 薄膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1.Ag掺杂生长p型ZnMgO晶体薄膜的方法，其特征是采用脉冲激光沉积法，包括如下步骤：
1）称量纯ZnO、纯MgO和纯Ag2O粉末, 其中Mg的摩尔百分含量为10%，Ag的摩尔百分含量为0.6~1%, 经球磨混合后压制成型，然后在1200℃烧结8小时以上，制得靶材；
2）将清洗后的衬底放入脉冲激光沉积装置的生长室中，靶材与衬底之间的距离为5.5 cm, 生长室背底真空度抽至10-4 Pa，然后加热衬底，使衬底温度为300~600℃，以纯O2为生长气氛，控制O2压强30~60 Pa，激光频率为3~5 Hz, 进行生长，生长后的薄膜在100 Pa的氧气气氛保护下冷却至室温。
2.根据权利要求1所述的Ag掺杂生长p型ZnMgO晶体薄膜的方法，其特征是所说的衬底是硅、蓝宝石、玻璃或石英。
3.根据权利要求1所述的Ag掺杂生长p型ZnMgO晶体薄膜的方法，其特征是纯O2的纯度为99.99%以上。
4.根据权利要求1所述的Ag掺杂生长p型ZnMgO晶体薄膜的方法，其特征是纯ZnO、纯MgO和纯Ag2O粉末的纯度均为99.99%。
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