[发明专利]沟槽DMOS器件及其制造方法

摘要

本发明实施例公开了一种沟槽DMOS器件及其制造方法，该方法包括：提供基底；在外延层表面内形成沟槽，在沟槽内形成栅区；在外延层表面上形成第一介质层，在外延层表面内形成体区和分压环；在具有分压环图形开口的第一介质层表面上形成分压环侧墙；以具有分压环侧墙的第一介质层为掩膜，在所述体区表面内形成源区。本发明通过一次光刻在第一介质层上形成体区图形和分压环图形，以定义体区的注入区域，之后以具有分压环侧墙的第一介质层为掩膜，形成源区，即形成体区和源区的过程中只需一次光刻步骤即可，即本发明实施例的方法形成TDMOS器件的有源区过程只需两次光刻，较现有技术中减少了一次光刻步骤，减少了TDMOS器件的生产成本。

主权项

一种沟槽DMOS器件制造方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括本体层和所述本体层之上的外延层，所述本体层包括漏区；在所述外延层表面内形成沟槽，在所述沟槽内形成栅区；在所述外延层表面上形成第一介质层，在所述第一介质层上形成体区图形开口和至少一个分压环图形开口；以具有所述体区图形开口和分压环图形开口的第一介质层为掩膜，在所述外延层表面内形成体区和分压环；在具有分压环图形开口的第一介质层表面上形成分压环侧墙介质层；去除所述分压环图形开口外的分压环侧墙介质层材料，形成分压环侧墙；以具有分压环侧墙的第一介质层为掩膜，在所述体区表面内形成源区。