[发明专利]沟槽DMOS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种沟槽DMOS器件制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括本体层和所述本体层之上的外延层，所述本体层包括漏区；

在所述外延层表面内形成沟槽，在所述沟槽内形成栅区；

在所述外延层表面上形成第一介质层，在所述第一介质层上形成体区图形开口和至少一个分压环图形开口；

以具有所述体区图形开口和分压环图形开口的第一介质层为掩膜，在所述外延层表面内形成体区和分压环；

在具有分压环图形开口的第一介质层表面上形成分压环侧墙介质层；

去除所述分压环图形开口外的分压环侧墙介质层材料，形成分压环侧墙；

以具有分压环侧墙的第一介质层为掩膜，在所述体区表面内形成源区。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，位于所述体区表面上的分压环侧墙与所述体区表面交界处的横向宽度与该沟槽DMOS器件的源区边缘与体区边缘间的横向距离相同。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一介质层为场氧化层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，采用离子注入的方式，在所述外延层表面内同时形成所述体区和分压环。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，采用离子注入的方式，在所述体区表面内形成源区。

6.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，形成所述源区之后，该方法还包括：

在所述基底的上表面对应所述栅区的位置上形成栅极，在所述基底的上表面对应所述源区的位置上形成源极；

在所述本体层下表面对应所述漏区的位置上形成漏极。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，形成所述栅极、源极和漏极的过程包括：

在所述外延层和所述第一介质层表面上形成第二介质层；

在位于所述栅区和所述源区上方的所述第二介质层内形成通孔；

在所述通孔内填充钨，并去除所述通孔外的钨，以形成钨塞；

在所述第二介质层表面上形成金属层；

去除所述通孔上的金属层之外的金属层材料，以在所述栅区上形成栅极，在所述源区上形成源极；

在所述本体层的下表面对应所述漏区的位置形成金属层，以在所述漏区上形成漏极。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，位于该沟槽DMOS器件有源区表面上的所述第二介质层的厚度为位于所述分压环侧墙与所述金属层之间的第二介质层的厚度为

9.一种沟槽DMOS器件，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括本体层和所述本体层之上的外延层，所述本体层包括漏区；

位于所述外延层表面内的沟槽，位于所述沟槽内的栅区；

位于所述外延层表面内的体区和至少一个分压环，所述体区和分压环在同一光刻步骤中形成；

位于所述外延层表面上的第一介质层，所述第一介质层上具有所述体区图形开口和所述分压环图形开口；

所述第一介质层上的体区图形开口和所述分压环图形开口处具有分压环侧墙；

位于所述体区表面内的源区，所述源区位于所述沟槽与所述体区表面上的分压环侧墙之间。

10.根据权利要求9所述的沟槽DMOS器件，其特征在于，该器件还包括：

位于所述基底的上表面对应所述栅区位置上的栅极，位于所述基底的上表面对应所述源区位置上的源极；

位于所述本体层下表面对应所述漏区的位置上的漏极。