[发明专利]III族氮化物半导体发光器件有效
| 申请号： | 201110081872.1 | 申请日： | 2011-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN102208511A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 奥野浩司;宫崎敦嗣 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/14;H01L33/16;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;吴鹏章 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种III族氮化物半导体发光器件，其表现出改善的发光性能而不增加驱动电压。所述III族氮化物半导体发光器件至少包括：n型层侧覆层、发光层和p型层侧覆层，所述层均由III族氮化物半导体形成。n型层侧覆层为具有包括InyGa1-yN(0＜y＜1)层、AlxGa1-xN(0＜x＜1)层和GaN层的周期性结构的超晶格层。AlxGa1-xN(0＜x＜1)层的厚度为使得电子隧穿AlxGa1-xN层并且空穴被限制在发光层中。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种III族氮化物半导体发光器件，其至少包括：n型层侧覆层、发光层和p型层侧覆层，所述层均由III族氮化物半导体形成，其中所述n型层侧覆层为具有包括InyGa1‑yN(0＜y＜1)层、AlxGa1‑xN(0＜x＜1)层和GaN层的周期性结构的超晶格层。
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