[发明专利]III族氮化物半导体发光器件有效
| 申请号： | 201110081872.1 | 申请日： | 2011-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN102208511A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 奥野浩司;宫崎敦嗣 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/14;H01L33/16;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;吴鹏章 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 发光 器件 | ||
1.一种III族氮化物半导体发光器件，其至少包括：n型层侧覆层、发光层和p型层侧覆层，所述层均由III族氮化物半导体形成，其中所述n型层侧覆层为具有包括InyGa1-yN(0＜y＜1)层、AlxGa1-xN(0＜x＜1)层和GaN层的周期性结构的超晶格层。
2.根据权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件，其中所述AlxGa1-xN(0＜x＜1)层的厚度为使得电子隧穿所述AlxGa1-xN层并且空穴被局限在所述发光层中。
3.根据权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件，其中所述AlxGa1-xN(0＜x＜1)层的厚度为0.3nm～2.5nm。
4.根据权利要求2所述的III族氮化物半导体发光器件，其中所述AlxGa1-xN(0＜x＜1)层的厚度为0.3nm～2.5nm。
5.根据权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件，其中所述AlxGa1-xN(0＜x＜1)层的Al组成比例x为0.05以上并且小于1。
6.根据权利要求2所述的III族氮化物半导体发光器件，其中所述AlxGa1-xN(0＜x＜1)层的Al组成比例x为0.05以上并且小于1。
7.根据权利要求3所述的III族氮化物半导体发光器件，其中所述AlxGa1-xN(0＜x＜1)层的Al组成比例x为0.05以上并且小于1。
8.根据权利要求4所述的III族氮化物半导体发光器件，其中所述AlxGa1-xN(0＜x＜1)层的Al组成比例x为0.05以上并且小于1。
9.根据权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件，其中所述p型层侧覆层由包括AlzGa1-zN(0＜z＜1)层的超晶格层形成，所述n型层侧覆层的AlxGa1-xN(0＜x＜1)层的组成比例x为所述p型层侧覆层的AlzGa1-zN(0＜z＜1)层的组成比例z的1/2以上。
10.根据权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件，其中形成所述n型层侧覆层的所述InyGa1-yN(0＜y＜1)层、所述AlxGa1-xN(0＜x＜1)层和所述GaN层中的至少其一包含Si。
11.根据权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件，其中所述发光层直接形成在所述n型层侧覆层上。
12.根据权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件，其中所述p型层侧覆层为具有包括InwGa1-wN层和AlzGa1-zN(0＜z＜1)层的周期性结构的超晶格层。
13.根据权利要求1～12中任一项所述的III族氮化物半导体发光器件，其中所述n型层侧覆层具有包括介于所述InyGa1-yN(0＜y＜1)层和所述AlxGa1-xN(0＜x＜1)层之间的第二GaN层的四层周期性结构。
14.根据权利要求1～8、10～12中任一项所述的III族氮化物半导体发光器件，其中所述p型层侧覆层由包括AlzGa1-zN(0＜z＜1)层的超晶格层形成，并且所述n型层侧覆层的AlxGa1-xN(0＜x＜1)层的组成比例x为所述p型层侧覆层的AlzGa1-zN(0＜z＜1)层的组成比例z的1/2以上。
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