[发明专利]一种电子零件、积层陶瓷电容器及其制造方法无效
| 申请号: | 201110081167.1 | 申请日: | 2011-04-01 |
| 公开(公告)号: | CN103794363A | 公开(公告)日: | 2014-05-14 |
| 发明(设计)人: | 徐孝华 | 申请(专利权)人: | 徐孝华 |
| 主分类号: | H01G4/06 | 分类号: | H01G4/06;H01G4/12;H01G4/005;H01G4/30 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 215200 江苏省吴江市老*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本发明是具有内部电极层12以及介电体层10的电子零件的制造方法,系包括:形成含有导电体成分以及介电体成分的烧成前内部电极薄膜12a的制程、使烧成后成为介电体层10的生胚薄片10a与前述内部电极薄膜12a积层的制程、将前述生胚薄片10a与前述内部电极薄膜12a的积层体烧结的制程,提供:即使在内部电极层分别的厚度薄层化的情况,也可以抑制烧成阶段时的导电体粒子的粒成长,有效防止内部电极层的球状化,电极中断,可有效地抑制静电容量的低下的积层陶瓷电容器等的电子零件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 电子零件 陶瓷 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种电子零件之制造方法,具有内部电极层及介电体层,其特征在于包括:形成含有导电体成分以及介电体成分之烧成前内部电极薄膜之制程;使烧成后成为介电体层之生胚薄片与前述内部电极薄膜积层之制程;及将前述生胚薄片与前述烧成前内部电极薄膜之积层体烧成之制程;前述烧成前内部电极薄膜中前述介电体成分之含有量,相对于前述烧成前内部电极薄膜全体,较0mol%大而在0.8mol%以下。
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