[发明专利]一种电子零件、积层陶瓷电容器及其制造方法无效
| 申请号： | 201110081167.1 | 申请日： | 2011-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN103794363A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 徐孝华 | 申请（专利权）人： | 徐孝华 |
| 主分类号： | H01G4/06 | 分类号： | H01G4/06;H01G4/12;H01G4/005;H01G4/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215200 江苏省吴江市老*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电子零件 陶瓷 电容器 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种电子零件之制造方法，具有内部电极层及介电体层，其特征在于包括：形成含有导电体成分以及介电体成分之烧成前内部电极薄膜之制程；使烧成后成为介电体层之生胚薄片与前述内部电极薄膜积层之制程；及将前述生胚薄片与前述烧成前内部电极薄膜之积层体烧成之制程；前述烧成前内部电极薄膜中前述介电体成分之含有量，相对于前述烧成前内部电极薄膜全体，较0mol％大而在0.8mol％以下。
2.如申请专利范围第1项之电子零件之制造方法，其中，前述烧成前内部电极薄膜中之前述介电体成分至少包含BaTiO3、Y2O3以及HfO2中之至少-种。
3.一种电子零件之制造方法，具有内部电极层及介电体层，其特征在于包括：形成含有导电体成分以及介电体成分之烧成前内部电极薄膜之制程；使烧成后成为介电体层之生胚薄片与前述内部电极薄膜积层之制程；及将前述生胚薄片与前述烧成前内部电极薄膜之积层体烧成之制程；前述烧成前内部电极薄膜中前述介电体成分之含有量，相对于前述烧成前内部电极薄膜全体，较0wt％大而在3wt％以下。
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