[发明专利]双端开关装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201110079484.X | 申请日： | 2007-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN102176466A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 俞钢;谢泉隆;李兴中 | 申请（专利权）人： | 希百特股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/22 | 分类号： | H01L29/22;H01L29/417;H01L29/861;H01L21/331;G02F1/1365;H01L51/40;H01L51/05 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李进;林森 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供双端开关装置，其特点是具有高开/关电流比和高击穿电压。这些装置可被用作在主动矩阵显示器的驱动电路中的开关，例如，用在电泳显示器、旋转元件显示器和液晶显示器中。开关装置包括两个电极和位于电极之间的宽带半导体材料层。根据一个实施例，阴极包含具有低功函的金属，阳极包含具有p+型或p++型传导性的有机材料，且宽带半导体包含金属氧化物。阴极和阳极材料之间的功函差异优选为至少约0.6eV。可实现在约15V的电压范围的至少10000的开/关电流比。如果需要，该装置可被形成在具有低熔点的柔性聚合物衬底上。 | ||
| 搜索关键词： | 开关 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
双端开关装置，其包括：形成在衬底上的第一电极，其中所述第一电极包含第一种导电材料层；宽带半导体材料层，其中所述宽带半导体的带隙为至少2.5eV且所述宽带半导体的载流子浓度少于1018cm‑3；和包含第二种导电材料层的第二电极，其中所述第二种导电材料包含具有p+型或p++型传导性的材料；其中至少一部分半导体层位于所述第一种和第二种导电材料之间。
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