[发明专利]双端开关装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201110079484.X | 申请日： | 2007-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN102176466A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 俞钢;谢泉隆;李兴中 | 申请（专利权）人： | 希百特股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/22 | 分类号： | H01L29/22;H01L29/417;H01L29/861;H01L21/331;G02F1/1365;H01L51/40;H01L51/05 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李进;林森 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 开关 装置 及其 制造 方法 | ||
1.双端开关装置，其包括：
形成在衬底上的第一电极，其中所述第一电极包含第一种导电材料层；
宽带半导体材料层，其中所述宽带半导体的带隙为至少2.5eV且所述宽带半导体的载流子浓度少于1018cm-3；和
包含第二种导电材料层的第二电极，其中所述第二种导电材料包含具有p+型或p++型传导性的材料；其中
至少一部分半导体层位于所述第一种和第二种导电材料之间。
2.权利要求1的双端开关装置，其中所述具有p+型或p++型传导性的材料包含无机材料。
3.权利要求1的双端开关装置，其中所述具有p+型或p++型传导性的材料包含有机材料。
4.权利要求1的双端开关装置，其中在所述p+型或p++型导电材料中的载流子浓度为至少1018cm-3。
5.权利要求1的双端开关装置，其中所述第二种导电材料的功函量比所述第一种导电材料的功函量大至少0.6eV。
6.权利要求1的双端开关装置，其中所述第一种导电材料包含选自Mg、Ca、Sr、Ba、Ti、Ta、Al、In、Nb、Hf、Zn、Zr、Cu、Sn、V、Cr、Mn、Ga、Mo、Ni和Y的金属，且其中所述宽带半导体材料包含选自MgxOy、CaxOy、SrxOy、BaxOy、TixOy、TaxOy、AlxOy、InxOy、NbxOy、HfxOy、SnxOy、ZnxOy、ZrxOy、CuxOy、YxOy、YxBayOz和SmxSnyOz的金属氧化物。
7.权利要求1的双端开关装置，其中所述装置被包含在选自以下的装置中：微机电系统(MEMS)装置、场发射装置、电致变色装置、电致发光装置、光检测器、生物传感器。
8.一种形成双端开关装置的方法，其包括：
(a)在衬底上形成双端开关装置的第一电极，其中所述第一电极包含第一种导电材料层；
(b)在至少一部分所述第一电极上形成宽带半导体层，其中所述宽带半导体的带隙为至少2.5eV且所述宽带半导体的载流子浓度少于1018cm-3；和
(c)通过形成第二种导电材料层来形成第二电极，其中所述第二种导电材料包含具有p+型或p++型传导性的材料。
9.一种形成背板的方法，其包括：
在衬底上形成多个像素控制电路，其中每个像素控制电路包含至少一个双端开关装置；
其中形成至少一个双端开关装置包括：
(a)在衬底上形成双端开关装置的第一电极，其中所述第一电极包含第一种导电材料层；
(b)在至少一部分所述第一电极上形成宽带半导体层，其中所述宽带半导体的带隙为至少2.5eV且所述宽带半导体的载流子浓度少于1018cm-3；和
(c)通过形成具有第二功函量的第二种导电材料层而形成第二电极，其中所述第二种导电材料包含具有p+型或p++型传导性的材料。
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