[发明专利]硅控整流器有效
| 申请号： | 201110076563.5 | 申请日： | 2011-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN102208455A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 胡剑 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/87 | 分类号： | H01L29/87;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种硅控整流器，包括半导体衬底；形成于该半导体衬底上方的N阱和P阱；形成于该N阱中的第一P+掺杂区和第一N+掺杂区；形成于该P阱中的第二P+掺杂区和第二N+掺杂区；形成于该N阱与该P阱相接合位置的第三掺杂区；以及形成于该第三掺杂区上方的硅化金属阻止区，本发明通过采用硅化金属阻止区减小了电流路径，同时增大了PNPN结形成的寄生三极管的放大器系数，从而提升了硅控整流器的打开速度，提高了硅控整流器的ESD保护能力。 | ||
| 搜索关键词： | 整流器 | ||
【主权项】：
一种硅控整流器，至少包含：半导体衬底；形成于该半导体衬底上方的N阱和P阱；形成于该N阱中的第一P+掺杂区和第一N+掺杂区；形成于该P阱中的第二P+掺杂区和第二N+掺杂区；形成于该N阱与该P阱相接合位置的第三掺杂区；以及形成于该第三掺杂区上方的硅化金属阻止区。
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