[发明专利]硅控整流器有效
| 申请号： | 201110076563.5 | 申请日： | 2011-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN102208455A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 胡剑 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/87 | 分类号： | H01L29/87;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 整流器 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅控整流器，至少包含：
半导体衬底；
形成于该半导体衬底上方的N阱和P阱；
形成于该N阱中的第一P+掺杂区和第一N+掺杂区；
形成于该P阱中的第二P+掺杂区和第二N+掺杂区；
形成于该N阱与该P阱相接合位置的第三掺杂区；以及
形成于该第三掺杂区上方的硅化金属阻止区。
2.如权利要求1所述的硅控整流器，其特征在于：该第三掺杂区为第三P+掺杂区或第三N+掺杂区。
3.如权利要求2所述的硅控整流器，其特征在于：该硅化金属阻止区的长度以不超过该第一P+掺杂区与该第二N+掺杂区相接合区域的长度为宜。
4.如权利要求2所述的硅控整流器，其特征在于：该第二N+掺杂区与该第三掺杂区接合处的上方设置一连接阴极的栅极。
5.如权利要求4所述的硅控整流器，其特征在于：该硅化金属阻止区的长度以不超过该第三掺杂区及该第三掺杂区与该第一P+掺杂区相接合区域为宜。
6.如权利要求3或5所述的硅控整流器，其特征在于：该第一P+掺杂区与该第一N+掺杂区之间具有隔离结构，该第二P+掺杂区与该第二N+掺杂区之间具有隔离结构。
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