[发明专利]一种重金属离子检测芯片及制备方法无效
| 申请号： | 201110074626.3 | 申请日： | 2011-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN102331419A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 聂富强 | 申请（专利权）人： | 上海汶昌芯片科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/76 | 分类号： | G01N21/76 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市张江高*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种重金属离子检测芯片及其制备方法。该芯片重金属离子检测芯片将微流体驱动、表面修饰、化学识别反应、信号处理、检测和分析集成于小型微流控芯片上，通过待测重金属离子和微通道表面的识别分子发生一对一的识别反应生成新的化合物，产生发光信号的变化，获得待测重金属离子的种类和浓度信息。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 重金属 离子 检测 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种重金属离子检测芯片及其制备方法，其特征在于该芯片离子检测系统在微流控芯片上加工了反应微通道、流体微通道和检测区域，实现了多个功能单元的集成化。在微流控芯片的反应微通道中进行表面改性，通道表面修饰的特定分子和待测重金属离子发生一对一识别反应生成新的化合物，产生发光信号的变化，获得待测重金属离子的种类以及浓度信息。
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