[发明专利]一种重金属离子检测芯片及制备方法无效

专利信息
申请号: 201110074626.3 申请日: 2011-03-25
公开(公告)号: CN102331419A 公开(公告)日: 2012-01-25
发明(设计)人: 聂富强 申请(专利权)人: 上海汶昌芯片科技有限公司
主分类号: G01N21/76 分类号: G01N21/76
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201203 上海市张江高*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 重金属 离子 检测 芯片 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种重金属离子检测芯片及其制备方法,其特征在于该芯片离子检测系统在微流控芯片上加工了反应微通道、流体微通道和检测区域,实现了多个功能单元的集成化。在微流控芯片的反应微通道中进行表面改性,通道表面修饰的特定分子和待测重金属离子发生一对一识别反应生成新的化合物,产生发光信号的变化,获得待测重金属离子的种类以及浓度信息。

2.按权利要求1所述的一种重金属离子检测芯片及其制备方法,其特征步骤依次如下:

(1)用计算机辅助设计软件(CAD)设计和绘制微流控芯片的微通道图形;

(2)通过微加工技术在微流控芯片基材表面制备CAD设计的微通道图形;

(3)将微流控芯片基材切割后得到上下两片微流控芯片(5×5cm),用乙醇、去离子水、乙醇依次清洗后,自然晾干;

(4)将微流体输送微泵、检测器和微流控芯片进行连接,组装成芯片重金属离子检测系统;

(5)将微流控芯片的反应微通道进行表面处理;

(6)将和重金属离子反应的功能分子修饰到反应微通道的表面;

(7)将待测重金属离子导入反应微通道中,和通道表面的分子发生一对一识别反应,生成新的化合物;

(8)生成的化合物产生的发光信号变化通过检测器的检测通道,得到待测重金属离子的种类和浓度信息。

3.按权利要求1或2所述的一种重金属离子检测芯片及其制备方法,其特征在于这种芯片重金属离子检测系统是基于小型微流控芯片的,微流控芯片可以成批量生产、多次重复使用、灵活设计与组装。

4.按权利要求1或2所述的一种重金属离子检测芯片及其制备方法,其特征在于这种芯片重金属离子检测系统的检测原理是基于一对一的识别反应产生的发光信号的变化。

5.按权利要求1或2所述的一种重金属离子检测芯片及其制备方法,其特征在于这种芯片重金属离子检测系统的发光检测窗口直接集成在微流控芯片上。

6.按权利要求1或2所述的一种重金属离子检测芯片及其制备方法,其特征在于这种芯片重金属离子检测系统可以在一块芯片上同时实现多种重金属离子的分析和检测。

7.按权利要求1或2所述的一种重金属离子检测芯片及其制备方法,其特征在于这种芯片重金属离子检测系统可以在一块芯片上制备多组微通道,提高了平行检测能力。

8.按权利要求1或2所述的一种重金属离子检测芯片及其制备方法,其特征在于这种芯片重金属离子检测系统可以成批量生产和多次重复使用。

9.按权利要求1或2所述的一种重金属离子检测芯片及其制备方法,其特征在于这种芯片重金属离子检测系统可以将待测重金属离子的驱动、待测重金属离子的一对一识别反应、信号采集、检测和分析等多个功能单元集成为一体,形成一个多功能集成式的重金属检测芯片实验室。

10.按权利要求1或2所述的一种重金属离子检测芯片及其制备方法,其特征在于这种芯片重金属离子检测系统可以克服传统重金属离子检测仪器复杂、样品需求量大、应用领域窄、分析检测成本高等缺点,能定性和定量地进行重金属离子的分析和检测,具有广阔的应用前景。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海汶昌芯片科技有限公司,未经上海汶昌芯片科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110074626.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top