[发明专利]一种基于纳米压印的高出光效率LED的制备方法无效
| 申请号： | 201110071200.2 | 申请日： | 2011-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN102157642A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 孙堂友;徐智谋;刘文;吴小峰;张晓庆;赵文宁;王双保 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;G03F7/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 朱仁玲 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于纳米压印的GaN基LED制备方法，包括：（1）利用铝的阳极氧化方法制备纳米压印模板；（2）对所述纳米压印模板进行防粘处理；（3）在目标片上旋涂一层光刻胶；（4）将上述纳米压印模板与目标片进行纳米压印；（5）将上述压印处理后的纳米压印模板与目标片分离，从而在所述目标片表层的光刻胶上形成所需的图案；（6）利用电感耦合等离子体（ICP）刻蚀或者反应离子束（RIE）蚀刻，将上述图案转移到目标片上；（7）将目标片经后续工艺处理，制得所述GaN基LED。本发明的方法简便易行，通过阳极氧化方法制备纳米压印模板，适合于大规模工业生产的纳米压印技术来制作高出光效率的GaN基光子晶体LED。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 压印 高出光 效率 led 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于纳米压印的GaN基LED制备方法，包括如下步骤：（1）利用铝的阳极氧化方法制备纳米压印硬模板； （2）对所述纳米压印硬模板进行防粘处理；（3）在目标片上旋涂一层光刻胶；（4）将上述纳米压印硬模板与目标片进行纳米压印；（5）脱模，将上述压印处理后的纳米压印模板与目标片分离，从而在所述目标片表层的光刻胶上形成所需的图案；（6）利用电感耦合等离子体（ICP）刻蚀或者反应离子束（RIE）蚀刻，将上述图案转移到目标片上；（7）将目标片经后续工艺处理，即可制得所述GaN基LED。
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