[发明专利]一种基于纳米压印的高出光效率LED的制备方法

权利要求书

1.一种基于纳米压印的GaN基LED制备方法，包括如下步骤：

（1）利用铝的阳极氧化方法制备纳米压印硬模板； 

（2）对所述纳米压印硬模板进行防粘处理；

（3）在目标片上旋涂一层光刻胶；

（4）将上述纳米压印硬模板与目标片进行纳米压印；

（5）脱模，将上述压印处理后的纳米压印模板与目标片分离，从而在所述目标片表层的光刻胶上形成所需的图案；

（6）利用电感耦合等离子体（ICP）刻蚀或者反应离子束（RIE）蚀刻，将上述图案转移到目标片上；

（7）将目标片经后续工艺处理，即可制得所述GaN基LED。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光刻胶为紫外可固化光刻胶，所述纳米压印为紫外纳米压印，所述紫外纳米压印中，紫外光从纳米压印硬模板上方正入射或者从目标片的背面入射。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述纳米压印还可以通过纳米压印软模板进行，其通过对所述纳米压印硬模板进行一次压印复制得到。

4.根据权利要求1-3之一所述的方法，其特征在于，所述目标片表面蒸镀有SiO2或Cr掩膜。

5.根据权利要求1-4之一所述的方法，其特征在于，所述目标片为未进行外延生长的蓝宝石衬底片。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述目标片的蓝宝石衬底上还具有N型层、有源层和/或P型层。

7.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述目标片的表面还可以镀有ITO层。

8.根据权利要求1-7之一所述的方法，其特征在于，步骤（1）中所述铝的阳极氧化通过在0.1~0.5mol/L的草酸、硫酸或磷酸溶液中，在铝片或者平整衬底表面蒸镀的铝膜上采用两步电化学阳极氧化法实现。

9.根据权利要求1-8之一所述的方法，其特征在于，所述纳米压印硬模板为阳极氧化铝AAO模板，其孔径、孔间距和孔深度可调。

10.根据权利要求1-9之一所述的方法，其特征在于，所述的方法适用于正装、倒装或垂直结构的LED芯片的制备。