[发明专利]垂直腔面发射激光器顶部的准周期光子晶体结构无效
申请号: | 201110069582.5 | 申请日: | 2011-03-22 |
公开(公告)号: | CN102163802A | 公开(公告)日: | 2011-08-24 |
发明(设计)人: | 张建心;刘安金;江斌;付非亚;渠红伟;郑婉华 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01S5/183 | 分类号: | H01S5/183 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及半导体光电子器件技术领域,公开了一种垂直腔面发射激光器顶部的准周期光子晶体结构,该结构包括一个二维准周期光子晶体结构,该二维准周期光子晶体结构采用在垂直腔面发射激光器顶部半导体材料上刻蚀的圆形孔或椭圆形孔,且孔内填充低折射率材料。利用本发明,可以通过耦合波实现光腔之间的并行耦合,提高耦合效率,实现对远场发散角的调制。 | ||
搜索关键词: | 垂直 发射 激光器 顶部 周期 光子 晶体结构 | ||
【主权项】:
一种垂直腔面发射激光器顶部的准周期光子晶体结构,其特征在于,该准周期光子晶体结构包括一二维准周期光子晶体结构,该二维准周期光子晶体结构采用在垂直腔面发射激光器顶部半导体材料上刻蚀的圆形孔或椭圆形孔。
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