[发明专利]垂直腔面发射激光器顶部的准周期光子晶体结构

权利要求书

1.一种垂直腔面发射激光器顶部的准周期光子晶体结构，其特征在于，该准周期光子晶体结构包括一二维准周期光子晶体结构，该二维准周期光子晶体结构采用在垂直腔面发射激光器顶部半导体材料上刻蚀的圆形孔或椭圆形孔。

2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器顶部的准周期光子晶体结构，其特征在于，所述二维准周期光子晶体结构是十二重准周期晶格排列。

3.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器顶部的准周期光子晶体结构，其特征在于，所述二维准周期光子晶体结构具有比二维周期性光子晶体结构高的旋转对称性，周期性光子晶体中只能存在1重、2重、3重、4重、6重这5种旋转轴。

4.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器顶部的准周期光子晶体结构，其特征在于，该准周期光子晶体结构是并行耦合的。

5.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器顶部的准周期光子晶体结构，其特征在于，所述在垂直腔面发射激光器顶部的半导体材料为GaAs/AlGaAs材料，或为InP/InGaAsP材料，孔内材料的折射率相应的小于GaAs/AlGaAs材料或InP/InGaAsP材料的折射率。

6.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器顶部的准周期光子晶体结构，其特征在于，该准周期光子晶体结构作为垂直腔面发射激光器耦合阵列的基元。

7.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器顶部的准周期光子晶体结构，其特征在于，该准周期光子晶体结构用于对垂直腔面发射激光器的远场进行调制，降低远场发散角。

8.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器顶部的准周期光子晶体结构，其特征在于，该准周期光子晶体结构用于对光子晶体光纤激光器的远场进行调制，降低远场发散角。