[发明专利]用于制造相变随机存储器的方法有效
| 申请号： | 201110068883.6 | 申请日： | 2011-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN102694119A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 任万春 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于制造相变随机存储器的方法，包括下列步骤：提供相变随机存储器前端器件，前端器件包括底部电极、与底部电极连接的金属层、以及位于底部电极和金属层上的绝缘结构；在前端器件中形成与金属层连接的金属塞结构；在金属塞结构的顶部形成金属氧化层；在前端器件的绝缘结构中形成凹槽；在前端器件上沉积相变材料；进行化学机械抛光工艺以去除凹槽外的相变材料；分别形成与相变材料连接的顶部电极和与金属塞结构连接的电极。根据本发明的制造相变随机存储器的方法，能够有效地克服相变随机存储器器件制造过程中的相变材料腐蚀，从而提高制造相变随机存储器器件的良品率，并且同时具有简单的制造流程和较低的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 相变 随机 存储器 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造相变随机存储器的方法，包括下列步骤：提供相变随机存储器前端器件，所述前端器件包括底部电极、与底部电极连接的金属层、以及位于所述底部电极和金属层上的绝缘结构；在所述前端器件中形成与所述金属层连接的金属塞结构；使所述金属塞结构的顶部氧化形成金属氧化层；在所述前端器件的绝缘结构中形成凹槽；在所述前端器件上沉积相变材料；进行化学机械抛光工艺以去除凹槽外的相变材料；分别形成与所述相变材料连接的顶部电极和与所述金属塞结构连接的电极。
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