[发明专利]用于制造相变随机存储器的方法

权利要求书

1.一种用于制造相变随机存储器的方法，包括下列步骤：

提供相变随机存储器前端器件，所述前端器件包括底部电极、与底部电极连接的金属层、以及位于所述底部电极和金属层上的绝缘结构；

在所述前端器件中形成与所述金属层连接的金属塞结构；

使所述金属塞结构的顶部氧化形成金属氧化层；

在所述前端器件的绝缘结构中形成凹槽；

在所述前端器件上沉积相变材料；

进行化学机械抛光工艺以去除凹槽外的相变材料；

分别形成与所述相变材料连接的顶部电极和与所述金属塞结构连接的电极。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述形成金属氧化层的步骤采用等离子体处理。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述等离子体处理的气体采用O₂和O₃中的一种。

4.如权利要求2所述的方法，其中所述等离子体处理的功率是100-1000W。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述等离子体处理的功率是350-600W。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述金属氧化层的厚度是50-500埃。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述金属氧化层的厚度是100-200埃。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述形成凹槽的步骤采用刻蚀处理。

9.如权利要求1所述的方法，进一步包括在所述化学机械抛光步骤之后对所述前端器件进行预清理。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述金属塞结构包括钨或铝，所述金属氧化层包括氧化钨或氧化铝。