[发明专利]具有保护性中介层的嵌入式裸片有效
申请号: | 201110068207.9 | 申请日: | 2011-03-18 |
公开(公告)号: | CN102194705A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
发明(设计)人: | 吴亚伯;吴嘉洛 | 申请(专利权)人: | 马维尔国际贸易有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/60;H01L23/492 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 酆迅;黄倩 |
地址: | 巴巴多斯*** | 国省代码: | 巴巴多斯;BB |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开涉及具有保护性中介层的嵌入式裸片,本公开的实施方式提供一种衬底,该衬底具有(i)第一叠层、(ii)第二叠层和(iii)布置于第一叠层与第二叠层之间的芯材料;以及附接至该第一叠层的裸片,该裸片具有键合至裸片的有源侧的表面的中介层,该表面包括(i)电介质材料和(ii)用以路由裸片的电信号的键合焊盘,中介层具有形成于其中的通孔,该通孔电耦合至键合焊盘以进一步路由裸片的电信号,其中裸片和中介层嵌入在衬底的芯材料中。可能描述和/或要求保护其他实施方式。 | ||
搜索关键词: | 具有 保护性 中介 嵌入式 | ||
【主权项】:
一种方法,其包括:提供一个裸片,所述裸片具有键合至所述裸片的有源侧的表面的中介层,所述表面包括(i)电介质材料和(ii)用以路由所述裸片的电信号的键合焊盘,所述中介层具有形成于其中的通孔,所述通孔电耦合至所述键合焊盘以进一步路由所述裸片的所述电信号;将所述裸片附接至衬底的一层;以及形成所述衬底的一个或多个附加层,以将所述裸片嵌入在所述衬底中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于马维尔国际贸易有限公司,未经马维尔国际贸易有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110068207.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造