[发明专利]单边栅极鳍状场效晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 201110065452.4 | 申请日： | 2011-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN102270661A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 任兴华 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/108;H01L21/336;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京博浩百睿知识产权代理有限责任公司 11134 | 代理人： | 宋子良;张奇巧 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单边栅极鳍状场效晶体管，包含一有源鳍状结构、一漏极掺杂区与一源极掺杂区、一绝缘区域、一沟渠绝缘结构以及一单边侧壁栅极。有源鳍状结构包含两相邻的增大头部、一超薄基部，以及衔接各增大头部与超薄基部的一渐缩颈部。漏极掺杂区与源极掺杂区分别位于两相邻的增大头部。绝缘区域位于增大头部间。沟渠绝缘结构位于音叉形鳍状结构的一侧。单边侧壁栅极位于沟渠绝缘结构相反侧的有源鳍状结构的侧壁上。 | ||
| 搜索关键词： | 单边 栅极 鳍状场效 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种单边栅极鳍状场效晶体管，其特征在于，包含：一有源鳍状结构，包含两相邻的增大头部、一超薄基部，以及衔接各所述增大头部与所述超薄基部的一渐缩颈部；一漏极掺杂区与一源极掺杂区，分别位于所述两相邻的增大头部；一绝缘区域，位于所述增大头部间；一沟渠绝缘结构，位于所述有源鳍状结构的一侧；以及一单边侧壁栅极，位于所述沟渠绝缘结构相反侧的所述有源鳍状结构的侧壁上。
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