[发明专利]单边栅极鳍状场效晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种单边栅极鳍状场效晶体管，其特征在于，包含：

一有源鳍状结构，包含两相邻的增大头部、一超薄基部，以及衔接各所述增大头部与所述超薄基部的一渐缩颈部；

一漏极掺杂区与一源极掺杂区，分别位于所述两相邻的增大头部；

一绝缘区域，位于所述增大头部间；

一沟渠绝缘结构，位于所述有源鳍状结构的一侧；以及

一单边侧壁栅极，位于所述沟渠绝缘结构相反侧的所述有源鳍状结构的侧壁上。

2.如权利要求1所述的单边栅极鳍状场效晶体管，其特征在于，各所述增大头部的宽度大于所述超薄基部的宽度。

3.如权利要求1所述的单边栅极鳍状场效晶体管，其特征在于，所述沟渠绝缘结构在于一瓶状沟渠绝缘结构。

4.如权利要求3所述的单边栅极鳍状场效晶体管，其特征在于，所述瓶状沟渠绝缘结构的一上端部与各所述增大头部间设有一颈保护层。

5.如权利要求1所述的单边栅极鳍状场效晶体管，其特征在于，一U型通道区域是位于所述漏极掺杂区与所述源极掺杂区间的所述超薄基部中。

6.如权利要求1所述的单边栅极鳍状场效晶体管，其特征在于，另包含一栅极介电层，位于所述单边侧壁栅极与所述有源鳍状结构间。

7.如权利要求1所述的单边栅极鳍状场效晶体管，其特征在于，所述绝缘区域设于一凹陷沟槽中，且所述凹陷沟槽内设有一衬垫层。

8.如权利要求1所述的单边栅极鳍状场效晶体管，其特征在于，所述绝缘区域是沿着一第一方向延伸，而所述单边侧壁栅极是沿着一第二方向延伸，其中所述第一方向垂直所述第二方向。

9.如权利要求8所述的单边栅极鳍状场效晶体管，其特征在于，所述绝缘区域是与所述单边侧壁栅极直接接触。

10.如权利要求1所述的单边栅极鳍状场效晶体管，其特征在于，所述绝缘区域是沿着一第一方向延伸，而所述沟渠绝缘结构是沿着一第二方向延伸，其中所述第一方向垂直所述第二方向。

11.如权利要求10所述的单边栅极鳍状场效晶体管，其特征在于，所述绝缘区域是与所述沟渠绝缘结构直接接触。

12.如权利要求1所述的单边栅极鳍状场效晶体管，其特征在于，所述绝缘区域是位于所述漏极掺杂区与所述源极掺杂区间的一通道区域的上方。

13.一种单边栅极鳍状场效晶体管，其特征在于，包含：

一有源鳍状结构，包含两相邻的头部，各所述头部均向下渐缩衔接至一颈部，而所述颈部再向下衔接一基部，所述基部具有一位于所述两相邻的头部间的超薄通道区域，其中各所述头部相对于所述颈部具有一增大的表面区域；

一沟渠绝缘结构，位于所述有源鳍状结构的一侧；以及

一单边侧壁栅极，位于所述沟渠绝缘结构相反侧的所述有源鳍状结构的侧壁上，使所述单边侧壁栅极与所述沟渠绝缘结构夹住所述有源鳍状结构。

14.一种单边栅极鳍状场效晶体管，其特征在于，包含：

一有源鳍状结构，包含两相邻的头部，各所述头部均向下渐缩衔接至一颈部，而所述颈部再向下衔接一基部，所述基部具有一位于所述两相邻的头部间的超薄通道区域，其中各所述头部相对于所述颈部具有一增大的接触面积，且各所述头部的宽度大于所述基部的宽度；

一沟渠绝缘结构，位于所述有源鳍状结构的一侧；以及

一单边侧壁栅极，位于所述沟渠绝缘结构相反侧的所述有源鳍状结构的侧壁上，使所述单边侧壁栅极与所述沟渠绝缘结构夹住所述有源鳍状结构。

15.一种动态随机存储器数组，其特征在于，包含：

一由多个鳍状场效晶体管构成的数组，包含至少两相邻且结构上呈镜像对称的单边栅极鳍状场效晶体管，分别排列在所述动态随机存储器数组中的相邻的两行，且位于同一列中，其中各所述单边栅极鳍状场效晶体管设于一有源鳍状结构中，所述有源鳍状结构包含有两相邻的增大头部、一超薄基部，以及衔接各所述增大头部与所述超薄基部的一渐缩颈部；

一沟渠绝缘结构，位于所述有源鳍状结构的一侧；以及

一单边侧壁栅极，位于所述沟渠绝缘结构相反侧的所述有源鳍状结构的侧壁上，使所述单边侧壁栅极与所述沟渠绝缘结构夹住所述有源鳍状结构。