[发明专利]用于氧化物薄膜晶体管的半导体层材料铟锌钛氧化物无效
| 申请号： | 201110064561.4 | 申请日： | 2011-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN102163625A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 姚绮君;李曙新;张群 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/26 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于薄膜晶体管器件技术领域，具体为一种用于氧化物薄膜晶体管的半导体层材料。该半导体层材料为铟锌钛氧化物。其中铟、锌和钛的成分比例控制在一定范围内的。本发明还提供以这种氧化物作为沟道层材料的薄膜晶体管。本发明获得的薄膜晶体管在平板显示领域具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 氧化物 薄膜晶体管 半导体 材料 铟锌钛 | ||
【主权项】：
一种用于薄膜晶体管的半导体层氧化物材料，其特征在于为含有锌、铟和钛的氧化物材料；在所述氧化物材料中，In相对于In、Zn、Ti总量的摩尔百分比含量在5%到98%之间，Ti相对于In、Zn、Ti总量的摩尔百分比含量在0.5%到5%之间。
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