[发明专利]用于氧化物薄膜晶体管的半导体层材料铟锌钛氧化物

权利要求书

1.一种用于薄膜晶体管的半导体层氧化物材料，其特征在于为含有锌、铟和钛的氧化物材料；在所述氧化物材料中，In相对于In、Zn、Ti总量的摩尔百分比含量在5%到98%之间，Ti相对于In、Zn、Ti总量的摩尔百分比含量在0.5%到5%之间。

2.根据权利要求1所述的氧化物材料，其特征在于氧化物材料中还含有I族、II族、III族、IV族、V族元素或者镧系元素中之一种或多种。

3.根据权利要求1或2所述的氧化物材料，其特征在于氧化物材料处于非晶态或多晶态。

4.一种氧化物薄膜晶体管，其特征在于该氧化物薄膜晶体管的构成如下：包括栅电极、源电极和漏电极，用于隔离栅电极和源电极、漏电极的栅极绝缘层，以及用于连接源电极和漏电极的、如权利要求1—3之一所述的氧化物半导体材料层。

5.根据权利要求4所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于所述栅、源和漏电极材料为钛、铂、钌、金、银、钼、铝、钨、铜或导电氧化物，栅极绝缘层材料为氧化硅、氮化硅、氧化铪、氧化钽或这些材料的混合物，或有机材料及有机无机复合材料。