[发明专利]薄膜太阳能电池的制备方法无效
| 申请号： | 201110062923.6 | 申请日： | 2011-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN102163652A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 林信宏;章丰帆;谢季桦;林信志;李宗龙 | 申请（专利权）人： | 太阳海科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郑小军;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜太阳能电池的制备方法，包含下列步骤：形成一阳极层于一基板上；形成一铜层于该阳极层上；以及共沉积铜、铟、镓和硒于该铜层上，以形成一铜铟镓硒光吸收层。通过本发明的制备方法可在较短的工艺时间制备铜铟镓硒光吸收层，降低制作成本，避免铜层产生剥离现象，同时可以获得高转换效率的铜铟镓硒光吸收层。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜太阳能电池的制备方法，包含下列步骤：形成一阳极层于一基板上；形成一铜层于该阳极层上；以及共沉积铜、铟、镓和硒于该铜层上，以形成一铜铟镓硒光吸收层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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